SanDisk 3D Matrix Memory: 300mm Wafer Trial Update

SanDisk hat auf dem Investor Day 2026 einen kleinen, aber wichtigen Fortschritt bei seinem 3D Matrix Memory bekanntgegeben: Die ersten Chips wurden bereits auf 300-mm-Wafern gefertigt und anschließend für weitere Tests verpackt. Mehrere Gigabit konnten dabei gespeichert werden, und die Leistung soll nach Angaben von Technikchef Alper Ilkbahar schon sehr nah an die geplanten Spezifikationen heranreichen.

Was SanDisk beim 3D Matrix Memory konkret erreicht hat

Beim 3D Matrix Memory handelt es sich um einen möglichen Ersatz für DRAM, der auf einer 3D-Struktur basiert. Ziel ist es, eine DRAM-ähnliche Performance zu erreichen, bei gleichzeitig bis zu vierfacher Speicherkapazität. Außerdem nennt SanDisk als langfristiges Ziel, die Kosten pro Bit gegenüber DRAM um bis zu die Hälfte zu senken.

Ilkbahar erklärte, dass das Team auf Basis eines bei einem Forschungspartner (IMEC) erstellten Test-Fahrzeugs im letzten Jahr kontinuierlich vorangekommen sei. Dazu gehören insbesondere:

das Stapeln mehrerer Speicherebenen in den Prototypen
die Fertigung der Prototypen auf 300-mm-Wafern
die Verpackung der „packaged parts“ für weitere Versuche

In den bisherigen Tests konnte SanDisk zudem zeigen, dass Speicherbereiche mit mehreren Gigabit („Multi-Gb“) funktionieren. Gleichzeitig liege das erreichte Performance-Niveau bereits sehr dicht an den Zielwerten für ein späteres Endprodukt.

Zeitleiste: Noch kein Marktstart in Sicht

Trotz der Fortschritte machte SanDisk klar, dass der Weg zum Marktstart noch länger dauern kann. Ilkbahar ordnete das Projekt explizit als „längerfristig“ ein und sagte sinngemäß, dass man weitere Updates zu Fortschritten bereitstellen werde.

Eine neue Roadmap mit konkreten nächsten Schritten wurde dabei jedoch nicht genannt. Auf einer früheren Roadmap hatte SanDisk noch Samples mit 32 bis 64 Gigabit in Aussicht gestellt, allerdings ohne Termin.

Parallelprojekt HBF: Tapeout geschafft, Validierung im nächsten Jahr

Neben dem 3D Matrix Memory arbeitet SanDisk am High Bandwidth Flash (HBF). Dieses Projekt ist laut Unternehmen deutlich näher am Markt als das Matrix-Memory-Konzept. HBF soll dabei im Kern keine völlig neue Speicherarchitektur darstellen, sondern auf einem Stapeln herkömmlicher NAND-Chips basieren.

SanDisk teilte außerdem mit, dass das erste HBF-Design bereits seinen Tapeout abgeschlossen hat. Für das kommende Jahr kündigte das Unternehmen an, Muster zur Validierung bereitzustellen.